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压力变送器打火冒烟

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意赛德(天津)自动化仪器有限公司 General EJA510E&EJA530E Specifications 一一般般规规格格书书绝压&压力变送器 EJA510E/EJA530E高性能绝对压力和压力变送器采用 单晶硅谐振式传感器技术,适用于测量液体、气体或 蒸汽的流量、液位、密度和压力。EJA510E/EJA530E 将压力转换成4~20mADC电流信号输出,具有快速响 应、远程设定、自诊断等功能。 EJA-E系列产品提供BRAIN、HART/HART(1~5VDC) 低功耗型、FF现场总线及PROFIBUSPA等通讯协议, 标准配置通过SIL2安全认证。 ■标准规格 带“?”符号的现场总线,FF通讯参阅GS01C31T02-01CN; PROFIBUSPA通讯参阅GS01C31T04-01CN。 □量程和范围 (对于EJA510E型,测量值是绝对压力值,下限为0) 测量psibarkg/cm规格一致性 MPa 量程/范围(/D1)(/D3)(/D4)EJA-E系列确保至少为±3σ的一致性。 10~200 量程1.45~290.1~20.1~2调校量程的参考精度 kPa A(包括基于端基的线性、滞后性和重复性) ?100~200 范围?14.5~29?1~2?1~2 kPa参考精度 测量量程 量程0.1~214.5~2901~201~20量程≥X量程(压力变送器打火 冒烟)

罗斯蒙特3051压力变送器工作原理及结构
3051型变送器主要部件为传感器模块和电子元件外壳。传感器模块包括充油传感器系统(隔离膜、充油系统和传感器)以及传感器电子元件。传感器电子元件安装在传感器模块内并包括一温度传感器(电阻式测试检测器)、储存模块和电容/数字信号转换器(C/D转换器)。来自传感器模块的电子信号被传输到电子元件外壳中的输出电子元件。电子元件外壳包括输出电子线路板(微处理器、储存模块、数字/模拟信号转换器或D/A转换器)、本机零点及量程按钮和端子块。
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6、设计小巧、坚固而质轻,易于安装.
压力变送器技术参数
模拟量:二线制4~20mADC
数字量:两线制4~20mADC并叠加符合HART协议的过程变量数字信号。
电源:供电电压12.5~45VDC
负载限制:回路负载电阻Rmax取决于供电电压。HART通讯要求负载电阻不低于250Ω,不高于600Ω
通讯距离:通讯距离为1.5Km,多站通讯***多可接15台智能变送器。
输出显示:四位制数字显示、五位LCD液晶显示、指针式。
防爆形式:
本安型:ExiaIICT5
3051系列远传压力变送器隔爆型
零点迁移范围:零点可随意正迁移或负迁移,但不得使设定的测量范围上下限和量程超出极限值。
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易结晶的介质
带有固体颗粒或悬浮物的沉淀性介质
强腐蚀或剧毒性介质
可消除导压管泄漏污染周围环境现象的发生;可免去采用隔离液时,因测量信号的不稳定,需要经常补充隔离液的繁琐工作。
连续**测量界面和密度
远传装置可避免不同瞬间介质的交混,从而使测量结果真实地反映过程变化的实际情况。
卫生清洁要求很高的场合
如食品、饮料和医药工业生产中,不仅要求变送器接触介质部位符合卫生标准,并且应便于冲洗,以防止不同批量介质交叉污染。
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表弯(冷凝管)
在有保温层的管路上通过弯管后的压力变送器基本是常温的(如果不保温的话,高温会上腾,导致管路上方的所有物件温度上升)。
优点:使用表弯可以优化成本,和产品配套的。
好的表弯选材要求高,较市场上一般的表弯,厚实耐用,耐压性能好,价格也会略贵一些。
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K、扩散硅(默认)T、陶瓷压阻P、陶瓷电容Y-溅射薄膜高精度芯片
输出信号
1、(0~5)VDC2、二线制(4~20)mA(默认)3、(0~10)mA4、其它注明
1、0.12、0.253、0.5
过程连接方式
1、外螺纹M20×1.5(默认)2、外螺纹G1/23、外螺纹NPT1/24、M27×2
显示方式
1、无显示(默认)2、0~100%线性指示3、LCD数字显示(液晶)4、LCD数字0~100%显示(液晶)5、LED数码管显示
防爆等级
1、标准型、不防爆(默认)2、本安型(EXiaIICT4)3、隔爆型(EXdIIBT4)选型说明:1.防爆本安产品只能选用0~100%线性指示。2.如选用准确度为0.1%FS时,只能选用超稳定性扩散硅或陶瓷电容传感器。
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一、产品简介
EJA系列压力/差压变送器是日本横河电机株式会社九十年代中期zui新推出的产品,率先采用真正的数字化传感器—单晶硅谐振式传感器,开创了变送器的新时代,产品具有更高的精度、稳定性、可靠性,自推向市场,深受各界好评。为迎接现场总线时代的来临,我们已推出经基金会测试认证的符合FF标准的现场总线变送器。
二、先进的工作原理
图1硅谐振梁的结构
采用微电子加工技术(MEMS)在一个单晶硅芯片表面的中心和边缘制作两个形状、尺寸、材质完全*的H形状的谐振梁,谐振梁在自激振荡回路中作高频振荡(如图1)。单晶硅片的上下表面受到的压力不等时,将产生形变,导致中心谐振梁因压缩力而频率减小,边缘谐振因受拉伸力而频率增加(如图2)。
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